Lezione 12

Sezione di un LED. Le linee indicano i possibil percorsi dei fotoni emessi   Argomenti della lezione 12:   Processi di emissione spontanea e emissione stimolata; Optoelettronica: un po’ di storia; Principio di funzionamento di un LED; Materiali in uso per i LED: bangap vs costante reticolare nelle leghe ternarie e quaternarie; LED a eterogiunzione; edge emitting LED; LASER a … Continua a leggere

Lezione 10

Apparato MOCVD per la crescita di semiconduttori Lezione 10: Tecniche di crescita: MBE, CVD e MOCVD. Controllo della crescita mediante RHEED. Introduzione ai difetti: shallow levels e deep centres. Fenomeni di superficie: ricostruzione e rilassamento Bande di superficie. Catalogazione dei difetti. lezione10a.pdf Lezione10b.pdf S. D’Addato

Lezione 8

Argomenti della lezione 8: Eccitoni nei semiconduttori: modello di Mott Wannier e livelli energetici. Effetti eccitonici negli spettri di assorbimento: caso bandgap diretta. Effetti eccitonici negli spettri di assorbimento: bandgap indiretta. Resumé delle proprietà ottiche dei semiconduttori. Tecniche di crescita dei semiconduttori: Metodi di Czochralsky e  di Langman.   PDF della lezione: Lezione8.pdf   S: D’Addato

Lezioni 6 e 7

Singolarità di Van Hove calcolate in 3, 2 e 1 dimensioni nella parte immaginaria della funzione dielettrica.     Argomenti delle lezioni 6 e 7:   Probabilità di transizione ottica diretta e funzione dielettrica complessa. Singolarità di Van Hove nella JDOS. Assegnazione delle strutture presenti nella funzione dielettrica di alcuni semiconduttori. Soglia di assorbimento ottico nei semiconduttori a gap diretta. … Continua a leggere

lezione 5

Valori delle bandgap dei semiconduttori in funzione del parametro reticolare. La banda in toni di grigio rappresenta il range del visibile Argomenti della lezione 5: Proprietà ottiche dei semiconduttori: introduzione. Funzione dielettrica, suscettibilità dielettrica, indice di rifrazione: richiami. Coefficiente di assorbimento e coefficienti di riflessione. Relazioni di Fresnel. Tecniche sperimentali: riflettività, riflettività a incidenza normale, ellissometria. Relazioni KK. Lezione5.pdf

Lezioni 3 e 4

Argomenti delle lezioni 3 e 4: Densità degli stati e singolarità di Van Hove. Modello semiclassico dell’elettrone e massa efficace. Bande di energia nei semiconduttori. Tecniche sperimentali per lo studio delle bande di energia nei solidi: assorbimento e riflettività ottiche, fotoemissione. Superfici a energia costante nello spazio k. Dipendenza della bandgap dalla temperatura. lezione3.pdf Lezione4.pdf

Argomenti prima lezione

Cella di Wigner-Seitz per il reticolo cubico a facce centrate (fcc) Introduzione al corso: elenco argomenti trattati, informazione sulle modalità disvolgimento delle lezioni. Fenomenologia delle proprietà elettriche dei semiconduttori: conducibilità in funzione della temperatura. Richiami sui reticoli cristallini. Struttura cristallina dei semiconduttori. Qui sotto i pdf della lezione di oggi:   Lezione1a.pdf Lezione1b.pdf   Sergio D’Addato